Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH

Journal article
(Letter)


Publication Details

Author(s): Steidl M, Wu M, Peh K, Kleinschmidt P, Spiecker E, Hannappel T
Journal: Nanoscale Research Letters
Publication year: 2018
Volume: 13
Pages range: 417
ISSN: 1931-7573
eISSN: 1556-276X


FAU Authors / FAU Editors

Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Wu, Mingjian Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Additional Organisation
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)
Graduiertenkolleg 1896/2 In situ Mikroskopie mit Elektronen, Röntgenstrahlen und Rastersonden
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


How to cite

APA:
Steidl, M., Wu, M., Peh, K., Kleinschmidt, P., Spiecker, E., & Hannappel, T. (2018). Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH. Nanoscale Research Letters, 13, 417. https://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2833-6

MLA:
Steidl, Matthias, et al. "Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH." Nanoscale Research Letters 13 (2018): 417.

BibTeX: 

Last updated on 2019-27-05 at 17:05