Native point defects of semiconducting layered Bi2O2Se

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autor(en): Li H, Xu X, Zhang Y, Gillen R, Shi L, Robertson J
Zeitschrift: Scientific Reports
Verlag: Nature Publishing Group
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Band: 8
Heftnummer: 1
ISSN: 2045-2322


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Gillen, Roland
Lehrstuhl für Experimentalphysik


Zitierweisen

APA:
Li, H., Xu, X., Zhang, Y., Gillen, R., Shi, L., & Robertson, J. (2018). Native point defects of semiconducting layered Bi2O2Se. Scientific Reports, 8(1). https://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-29385-8

MLA:
Li, Huanglong, et al. "Native point defects of semiconducting layered Bi2O2Se." Scientific Reports 8.1 (2018).

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-28-02 um 06:13