Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Letter)


Details zur Publikation

Autor(en): Rasinger F, Pobegen G, Aichinger T, Weber HB, Krieger M
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Band: 924
Seitenbereich: 277-280
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Zitierweisen

APA:
Rasinger, F., Pobegen, G., Aichinger, T., Weber, H.B., & Krieger, M. (2018). Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs. Materials Science Forum, 924, 277-280. https://dx.doi.org/10.4028/MSF.924.277

MLA:
Rasinger, Fabian, et al. "Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs." Materials Science Forum 924 (2018): 277-280.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-24-02 um 07:58

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