Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs
Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Letter)
Details zur Publikation
Autor(en): Rasinger F, Pobegen G, Aichinger T, Weber HB, Krieger M
Zeitschrift: → Materials Science Forum |
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Band: 924
Seitenbereich: 277-280
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch
FAU-Autoren / FAU-Herausgeber
| | | Lehrstuhl für Angewandte Physik |
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| Weber, Heiko B. Prof. Dr. |
| | Lehrstuhl für Angewandte Physik |
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Zitierweisen
APA: | Rasinger, F., Pobegen, G., Aichinger, T., Weber, H.B., & Krieger, M. (2018). Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs. Materials Science Forum, 924, 277-280. https://dx.doi.org/10.4028/MSF.924.277 |
MLA: | Rasinger, Fabian, et al. "Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs." Materials Science Forum 924 (2018): 277-280. |