Solution Growth of Silicon Carbide Using the Vertical Bridgman Method

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Fahlbusch L, Wellmann P
Zeitschrift: Crystal Research and Technology
Verlag: Wiley-VCH Verlag
Jahr der Veröffentlichung: 2018
ISSN: 0232-1300
Sprache: Englisch


Abstract

A solution growth process combined of vertical Bridgman and vertical gradient freeze in a metal free Si-C melt at growth temperatures of 2300 °C is developed. The influence of the growth parameters for different growth steps and of the surface polarity of the seed is investigated. The layers are evaluated by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and optical profilometry. The growth of high quality SiC layers with a diameter of 30 mm and a layer thickness up to 200 μm is achieved.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Fahlbusch, Lars
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zitierweisen

APA:
Fahlbusch, L., & Wellmann, P. (2018). Solution Growth of Silicon Carbide Using the Vertical Bridgman Method. Crystal Research and Technology. https://dx.doi.org/10.1002/crat.201800019

MLA:
Fahlbusch, Lars, and Peter Wellmann. "Solution Growth of Silicon Carbide Using the Vertical Bridgman Method." Crystal Research and Technology (2018).

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-04-01 um 05:10