Analysis of interface trap parameters from double-peak conductance spectra taken on N-implanted 3C-SiC MOS capacitors

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Krieger M, Beljakowa S, Trapaidze L, Frank T, Weber HB, Pensl G, Hatta N, Abe M, Nagasawa H, Schöner A
Zeitschrift: physica status solidi (b)
Verlag: Wiley-VCH Verlag
Jahr der Veröffentlichung: 2008
Band: 245
Heftnummer: 7
Seitenbereich: 1390-1395
ISSN: 0370-1972
eISSN: 1521-3951


Abstract


3C-SiC/SiO2 capacitors are fabricated by over-oxidation of an implanted Gaussian nitrogen (N) profile and investigated by conductance spectroscopy. An unexpected double peak structure is observed in the conductance spectra indicating two types of independent traps at different energy positions in the bandgap, which change their charge state with identical time constant. A theoretical model is developed assuming two independent distributions of interface traps in the bandgap of 3C-SiC with different trap parameters. The experimental G/ω-V and C-V spectra are simulated and the trap parameters are determined on the basis of this model. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Beljakowa, Svetlana Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Acreo AB


Zitierweisen

APA:
Krieger, M., Beljakowa, S., Trapaidze, L., Frank, T., Weber, H.B., Pensl, G.,... Schöner, A. (2008). Analysis of interface trap parameters from double-peak conductance spectra taken on N-implanted 3C-SiC MOS capacitors. physica status solidi (b), 245(7), 1390-1395. https://dx.doi.org/10.1002/pssb.200844062

MLA:
Krieger, Michael, et al. "Analysis of interface trap parameters from double-peak conductance spectra taken on N-implanted 3C-SiC MOS capacitors." physica status solidi (b) 245.7 (2008): 1390-1395.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-06-08 um 09:03