Substrate misorientation as additional parameter for low temperature growth of GaAs

Journal article


Publication Details

Author(s): Schür C, Marek T, Strunk HP, Tautz S, Steen C, Kiesel P, Malzer S, Döhler G, Niecke M, Schröder F, Mayer R, Knappe R
Journal: Physik mikrostrukturierter Halbleiter
Publication year: 2001
Volume: 23
Pages range: 145-150
ISSN: 1434-2073


FAU Authors / FAU Editors

Malzer, Stefan Dr.
Institut für Physik der Kondensierten Materie
Schür, Carsten Dr.
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


How to cite

APA:
Schür, C., Marek, T., Strunk, H.P., Tautz, S., Steen, C., Kiesel, P.,... Knappe, R. (2001). Substrate misorientation as additional parameter for low temperature growth of GaAs. Physik mikrostrukturierter Halbleiter, 23, 145-150.

MLA:
Schür, Carsten, et al. "Substrate misorientation as additional parameter for low temperature growth of GaAs." Physik mikrostrukturierter Halbleiter 23 (2001): 145-150.

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