Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices

Beitrag in einem Sammelwerk


Details zur Publikation

Autor(en): Weiße J, Hauck M, Sledziewski T, Tschiesche M, Krieger M, Bauer A, Mitlehner H, Frey L, Erlbacher T
Titel Sammelwerk: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Sprache: Englisch


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Frey, Lothar Prof. Dr.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Hauck, Martin
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Tschiesche, Mattias
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weiße, Julietta
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)


Zitierweisen

APA:
Weiße, J., Hauck, M., Sledziewski, T., Tschiesche, M., Krieger, M., Bauer, A.,... Erlbacher, T. (2018). Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices. In Materials Science Forum.

MLA:
Weiße, Julietta, et al. "Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices." Materials Science Forum 2018.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-08-09 um 07:09