Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Weiße J, Hauck M, Sledziewski T, Tschiesche M, Krieger M, Bauer A, Mitlehner H, Frey L, Erlbacher T
Titel Sammelwerk: Materials Science Forum
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Band: 924
Seitenbereich: 184-187
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


Abstract

In this work, we analyze compensating defects which are formed after
implantation of aluminum (Al) into n-type 4H-SiC epitaxial layers and
subsequent thermal annealing. These defects reduce the expected free
charge carrier density by 84% for a low doped layer with [Al]impl ≈ 9ž·1016 cm-3 and by 27 % for a high doped layer with [Al]impl ≈ 2·ž1019 cm-3.
Furthermore, an electrical activation ratio of implanted aluminum ions
of 100 % is calculated. The ionization energy of implanted aluminum as
measured by Hall effect and admittance spectroscopy ranges from 101 meV
to 305 meV depending on the doping concentration.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Frey, Lothar Prof. Dr.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Hauck, Martin
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Tschiesche, Mattias
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weiße, Julietta
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)


Zitierweisen

APA:
Weiße, J., Hauck, M., Sledziewski, T., Tschiesche, M., Krieger, M., Bauer, A.,... Erlbacher, T. (2018). Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices. Materials Science Forum, 924, 184-187. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.184

MLA:
Weiße, Julietta, et al. "Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices." Materials Science Forum 924 (2018): 184-187.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-26-03 um 12:13