Semiconductor device optimization in the presence of thermal effects

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autor(en): Drago C, Marheineke N, Pinnau R
Zeitschrift: ZAMM - Zeitschrift für angewandte Mathematik und Mechanik
Verlag: Wiley-VCH Verlag
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: 93
Heftnummer: 9
Seitenbereich: 700-705
ISSN: 0044-2267


Abstract


Optimal design problems for semiconductor devices with relevant thermal effects can be formulated by help of the energy transport model. In this paper we perform a sensitivity analysis to derive the first-order necessary condition for the optimization. Exploiting the special structure of the KKT system we use a special variant of the classical Gummel iteration to provide a very fast optimization algorithm. Numerical results for a ballistic diode underline the feasibility of our approach. © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.



FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Marheineke, Nicole Prof. Dr.
Professur für Angewandte Mathematik (Mathematische Modellierung)


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Technische Universität Kaiserslautern
Università degli Studi di Catania


Zitierweisen

APA:
Drago, C., Marheineke, N., & Pinnau, R. (2013). Semiconductor device optimization in the presence of thermal effects. ZAMM - Zeitschrift für angewandte Mathematik und Mechanik, 93(9), 700-705. https://dx.doi.org/10.1002/zamm.201100171

MLA:
Drago, C.R., Nicole Marheineke, and René Pinnau. "Semiconductor device optimization in the presence of thermal effects." ZAMM - Zeitschrift für angewandte Mathematik und Mechanik 93.9 (2013): 700-705.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-15-10 um 14:50