Doping of 4H-SiC with group IV elements

Journal article
(Letter)


Publication Details

Author(s): Krieger M, Rühl M, Sledziewski T, Ellrott G, Palm T, Weber HB, Bockstedte MG
Journal: Materials Science Forum
Publisher: Trans Tech Publications
Publication year: 2016
Volume: 858
Pages range: 301
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Language: English


FAU Authors / FAU Editors

Bockstedte, Michel Georg PD Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ellrott, Günter
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Palm, Theresa
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Sledziewski, Tomasz
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


How to cite

APA:
Krieger, M., Rühl, M., Sledziewski, T., Ellrott, G., Palm, T., Weber, H.B., & Bockstedte, M.G. (2016). Doping of 4H-SiC with group IV elements. Materials Science Forum, 858, 301. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.301

MLA:
Krieger, Michael, et al. "Doping of 4H-SiC with group IV elements." Materials Science Forum 858 (2016): 301.

BibTeX: 

Last updated on 2018-19-04 at 03:30