The role of defects in the dissociative adsorption of CO on Ni(100)

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Steinrück HP, D'Evelyn M, Madix R
Zeitschrift: Surface Science
Verlag: Elsevier
Jahr der Veröffentlichung: 1986
Band: 172
Heftnummer: 3
ISSN: 0039-6028


Abstract


We present a molecular beam study on the dissociative sticking coefficient for CO on a Ni(100) surface. In the range from 1.6 to 20 kcal/mol the observed dissociative sticking coefficient at a surface temperature of 500 K is 0.02 and independent of beam energy. Investigations on a sputter-damaged surface result in a sticking coefficient of 0.40, again independent of beam energy. The observed behavior can be explained by CO dissociation at defect sites. © 1986.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Steinrück, Hans-Peter Prof. Dr.
Lehrstuhl für Physikalische Chemie II


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Stanford University


Zitierweisen

APA:
Steinrück, H.-P., D'Evelyn, M., & Madix, R. (1986). The role of defects in the dissociative adsorption of CO on Ni(100). Surface Science, 172(3).

MLA:
Steinrück, Hans-Peter, M.P. D'Evelyn, and R.J. Madix. "The role of defects in the dissociative adsorption of CO on Ni(100)." Surface Science 172.3 (1986).

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Zuletzt aktualisiert 2019-24-04 um 14:50