Tunable doping in PbS nanocrystal field-effect transistors using surface molecular dipoles

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autor(en): Nugraha MI, Matsui H, Bisri SZ, Sytnyk M, Heiß W, Loi MA, Takeya J, Heiß W
Zeitschrift: APL Materials
Verlag: American Institute of Physics Inc.
Jahr der Veröffentlichung: 2016
Band: 4
Heftnummer: 11
ISSN: 2166-532X
Sprache: Englisch


Abstract


We study the effect of self-assembled monolayer (SAM) treatment of the SiO dielectric on the electrical characteristics of PbS transistors. Using SAMs, we observe threshold voltage shifts in the electron transport, allowing us to tune the electrical properties of the devices depending on the SAM molecule used. Moreover, the use of a specific SAM improves the charge carrier mobility in the devices by a factor of three, which is attributed to the reduced interface traps due to passivated silanol on the SiO surface. These reduced traps confirm that the voltage shifts are not caused by the trap states induced by the SAMs.



FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Heiß, Wolfgang Prof. Dr.
Department Werkstoffwissenschaften
Heiß, Wolfgang Prof. Dr.
Professur für Werkstoffwissenschaften (lösungsprozessierte Halbleitermaterialien)
Sytnyk, Mykhailo
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
University of Groningen / Rijksuniversiteit Groningen
University of Tokyo


Zitierweisen

APA:
Nugraha, M.I., Matsui, H., Bisri, S.Z., Sytnyk, M., Heiß, W., Loi, M.A.,... Heiß, W. (2016). Tunable doping in PbS nanocrystal field-effect transistors using surface molecular dipoles. APL Materials, 4(11). https://dx.doi.org/10.1063/1.4966208

MLA:
Nugraha, Mohamad I., et al. "Tunable doping in PbS nanocrystal field-effect transistors using surface molecular dipoles." APL Materials 4.11 (2016).

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-17-11 um 20:50