Investigation of the reliability of 4H-SiC MOS devices for high temperature applications

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Le-Huu M, Schmitt H, Noll S, Grieb M, Schrey FF, Bauer AJ, Frey L, Ryssel H
Zeitschrift: Microelectronics Reliability
Jahr der Veröffentlichung: 2011
Band: 51
Heftnummer: 8
Seitenbereich: 1346-1350
ISSN: 0026-2714


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Frey, Lothar Prof. Dr.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Ryssel, Heiner Prof. Dr.
Technische Fakultät


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Robert Bosch GmbH


Zitierweisen

APA:
Le-Huu, M., Schmitt, H., Noll, S., Grieb, M., Schrey, F.F., Bauer, A.J.,... Ryssel, H. (2011). Investigation of the reliability of 4H-SiC MOS devices for high temperature applications. Microelectronics Reliability, 51(8), 1346-1350. https://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2011.03.015

MLA:
Le-Huu, Martin, et al. "Investigation of the reliability of 4H-SiC MOS devices for high temperature applications." Microelectronics Reliability 51.8 (2011): 1346-1350.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-22-10 um 14:53