Engineering of Nanoelectronic Materials - B6 (Printed Electronics)

Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung - Teilprojekt

Details zum übergeordneten Gesamtprojekt

Titel des Gesamtprojektes: EXC 315: Neue Materialien und Prozesse - Hierarchische Strukturbildung für funktionale Bauteile

Sprecher/in des Gesamtprojekts:
Prof. Dr.-Ing. Wolfgang Peukert (Lehrstuhl für Feststoff- und Grenzflächenverfahrenstechnik)


Details zum Projekt

Projektleiter/in:
Prof. Dr. Lothar Frey

Projektbeteiligte:
Maximilian Rumler
Zeynep Meric
Sebastian Weis

Beteiligte FAU-Organisationseinheiten:
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Mittelgeber: DFG / Exzellenzinitiative (EXIN)
Akronym: EXC 315/2
Projektstart: 01.11.2012
Projektende: 31.10.2017


Forschungsbereiche

Anorganische Dünnschichtelektronik
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente


Abstract (fachliche Beschreibung):


In diesem Projekt werden die prozesstechnischen und bauelementephysikalischen Rahmenbedingungen für den Einsatz verschiedener Gruppe IV-Halbleiter-Nanopartikel in elektronischen Bauelementen untersucht.



Bereits in der ersten Förderperiode wurde gezeigt, dass die Formulierung, die Abscheidebedingungen sowie die thermische Nachbehandlung entscheidenden Einfluss auf das elektrische Verhalten von Si-Nanopartikel-Dünnschichten haben. Speziell für die Unterdrückung von Oberflächeneffekten auf das Verhalten der Bauelemente wurden Passivierungsschemata entwickelt.



In der aktuellen Periode werden die Untersuchungen auf Germanium-Nanopartikel sowie SiGe-Legierungen verschiedener Zusammensetzung ausgeweitet. Dabei stehen zunehmend übergeordnete bauelementespezifische Fragestellungen wie die Geometrieabhängigkeit der elektrischen Parameter,  die Optimierung der Metall-Halbleiter-Kontakte und die Integration mehrerer Bauelemente zu funktionellen Grundgattern im Vordergrund. Ergänzend werden photonische Sinterverfahren zur Modifikation der interpartikulären Kontakte adressiert.



 



Externe Partner

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)

Zuletzt aktualisiert 2018-06-11 um 17:46