Engineering of Nanoelectronic Materials - B6 (Druckbare Elektronik) (EXC 315/2)

Third Party Funds Group - Sub project


Acronym: EXC 315/2

Start date : 01.11.2012

End date : 31.10.2017


Overall project details

Overall project

EXC 315: Neue Materialien und Prozesse - Hierarchische Strukturbildung für funktionale Bauteile

Overall project speaker:

Project details

Short description

The chair of electron devices develops electronic thin films from nanoparticles. Whereas particles can be synthesized in excellent materials quality at high temperatures, the low-temperature deposition of thin films allows for the integration with sensitive substrates as paper or polymer foils. Thus, novel bendable and large-area devices like displays or solar cells will be enabled in future.

The most important task with thin-film formation from nanoparticles is the control of electronic properties and the encapsulation against environmental impacts which both had been investigated in a prior phase of the project. In the current period, application-related issues like the influence of geometry on the current-voltage characteristics and the integration of devices into circuits are adressed.

Scientific Abstract

In diesem Projekt werden die prozesstechnischen und bauelementephysikalischen Rahmenbedingungen für den Einsatz verschiedener Gruppe IV-Halbleiter-Nanopartikel in elektronischen Bauelementen untersucht.

Bereits in der ersten Förderperiode wurde gezeigt, dass die Formulierung, die Abscheidebedingungen sowie die thermische Nachbehandlung entscheidenden Einfluss auf das elektrische Verhalten von Si-Nanopartikel-Dünnschichten haben. Speziell für die Unterdrückung von Oberflächeneffekten auf das Verhalten der Bauelemente wurden Passivierungsschemata entwickelt.

In der aktuellen Periode werden die Untersuchungen auf Germanium-Nanopartikel sowie SiGe-Legierungen verschiedener Zusammensetzung ausgeweitet. Dabei stehen zunehmend übergeordnete bauelementespezifische Fragestellungen wie die Geometrieabhängigkeit der elektrischen Parameter,  die Optimierung der Metall-Halbleiter-Kontakte und die Integration mehrerer Bauelemente zu funktionellen Grundgattern im Vordergrund. Ergänzend werden photonische Sinterverfahren zur Modifikation der interpartikulären Kontakte adressiert.

 

Involved:

Contributing FAU Organisations:

Funding Source

Research Areas