3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung - Teilprojekt

Details zum übergeordneten Gesamtprojekt

Titel des Gesamtprojektes: CHALLENGE


Details zum Projekt

Projektleiter/in:
Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann


Beteiligte FAU-Organisationseinheiten:
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)

Mittelgeber: Leadership in Enabling & Industrial Technologies (LEIT)
Akronym: CHALLENGE
Projektstart: 01.01.2017
Projektende: 31.12.2020


Abstract (fachliche Beschreibung):


Silicon carbide presents a high breakdown field (2-4 MV/cm) and a high energy band gap (2.3–3.2 eV), largely higher than for silicon. Within this frame, the cubic polytype of SiC (3C-SiC) is the only one that can be grown on a host substrate with the huge opportunity to grow only the silicon carbide thickness required for the targeted application. The possible growth on silicon substrate has remained for long period a real advantage in terms of scalability regarding the redu…


Zuletzt aktualisiert 2018-22-11 um 18:40