Atomlagenabscheidung von Dotierstoffquellen für die Dotierung von Halbleiterstrukturen - Charakterisierung und Modellierung der Drive-In Prozesse

Drittmittelfinanzierte Einzelförderung


Details zum Projekt

Projektleiter/in:

Projektbeteiligte:
PD Dr. Peter Pichler

Beteiligte FAU-Organisationseinheiten:
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Technische Fakultät

Mittelgeber: DFG-Einzelförderung / Sachbeihilfe (EIN-SBH)
Akronym: FR 713/14-1
Projektstart: 02.10.2017
Projektende: 30.09.2019


Forschungsbereiche

Silizium-Halbleitertechnologie
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente


Abstract (fachliche Beschreibung):


Das wissenschaftliche Programm des Antrags beinhaltet die Zielsetzung, ergänzend zu Atomlagenabscheidungsprozessen für Boroxid und Antimonoxid, solche für phosphorhaltige Schichten zu entwickeln. Zudem sind für instabile dotierstoffhaltige Schichten geeignete Verfahren zur ihrer Stabilisierung zu finden und zu analysieren. Die abgeschiedenen Schichten sollen als Dotierstoffquelle für Silicium zur Erzeugung ultraflacher und homogen dotierter pn-übergänge, insbesondere bei dreidimensionalen Topographien, verwendet werden. über diese experimentellen Arbeiten hinaus sollen die abgeschiedenen Schichten charakterisiert und die Diffusionsprozesse im Silicium und in der Oxidphase untersucht und damit die Dotierprozesse modelliert werden.


Externe Partner

Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Zuletzt aktualisiert 2019-13-03 um 16:34