Dynamic Characterization of Molded Devices and Fundamental Investigations on Reliability (ZuGaNG)

Third Party Funds Group - Sub project


Acronym: ZuGaNG

Start date : 01.04.2014

End date : 31.03.2017

Extension date: 30.06.2017


"Normally off" Schaltung aus Kaskode mit GaN "normally on" Schaltern Project picture Project picture Project picture Project picture Project picture Project picture "Normally off" Schaltung aus Kaskode mit GaN "normally on" Schaltern (GaN normally on Transistor von Fraunhofer IAF + Zusatzbeschaltung Fraunhofer IISB)

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Overall project

Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation

Overall project speaker:

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Short description

Today's silicon-based solutions for power electronics are to be significantly exceeded in terms of efficiency, switching frequency, reliability and temperature range. The performance of the gallium nitride technology is to be demonstrated together with industrial partners for applications in household and heating happlications as well as electromobility, production technology and regenerative energy systems.

 

Scientific Abstract

In diesem Projekt werden sowohl grundlegende Untersuchungen zur Zuverlässigkeit als auch Charakterisierungen dynamischer Schalteigenschaften von GaN-Bauelementen durchgeführt. Dabei werden Defekte im Halbleitermaterial mit dem elektrischen Verhalten der Bauelemente korreliert, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Dies wird auch durch die Herstellung und Erprobung spezieller GaN-Teststrukturen im µm-Maßstab ermöglicht, um neue Charakterisierungsmethoden zu entwickeln. Weiterhin erfolgt eine Charakterisierung des dynamischen Schaltverhaltens von GaN-Transistoren. Dies schließt die Erfassung der Gateladung und des dynamischen Einschaltwiderstands ein. Um die Nachteile von konventionellen normally-on GaN-Transistoren zu umgehen, werden auch hybride normally-off Kaskoden und geeignete Ansteuerschaltungen untersucht.

Involved:

Contributing FAU Organisations:

Funding Source