Development of semiconductor sensors based on silicon carbide
Internally funded project
Start date : 01.10.2014
End date : 15.06.2018
Project details
Short description
Silicon carbide offers several benefits compared to silicon due to strong chemical bonds for the use as semiconductor material. Especially the higher critical electric field and the lower intrinsic carrier concentration are beneficial for power elctronics. These properties as well as the high thermal conductivity and the wide bandgap may further be used for advanced sensor devices.
Scientific Abstract
Durch die Weiterentwicklung der Prozesstechnologie sowie das verbesserte Bauelement-Verständnis konnte die SiC-Halbleitertechnologie in den letzten Jahren deutlich weiterentwickelt werden. Unterstützt wurde diese Entwicklung besonders durch die signifikante Verbesserung der Substrat-Eigenschaften und getrieben durch den Bedarf im Bereich der Leistungselektronik. Diese verbesserten Halbleitereigenschaften und Fortschritte in der Technologie können weiterhin auch gezielt für die Entwicklung neuartiger halbleiterbasierter Sensor-Bauelemente eingesetzt werden. Insbesondere von Vorteil ist dabei die große Bandlücke und die damit verbundene geringe intrinsischa Ladungsträgerkonzentration. Außerdem sind UV-Sensoren auf Baus von 4H-SiC durch die größere Bandlücke ohne Einsatz von zusätzlichen optischen Filtern tageslichtblind und erlauben eine selektive UV-Detektion. Dies ist zum Beispiel für moderne Brandmelde-Anlagen erforderlich.