Prof. Dr. Heiko B. Weber


Persönliche Webseite: https://www.lap.physik.nat.fau.de/
Thomson Researcher ID: D-2654-2012
Scopus Autoren ID: 7403096923



Organisationseinheit


Lehrstuhl für Angewandte Physik


Preise / Auszeichnungen


2004 : Erwin-Schrödinger-Preis


Erfindung/en


Halbleiterbauelement
Realisierung eines monolithischen integrierten elektronischen Schaltkreises auf der Basis epitaktischen Graphens auf Siliziumkarbid



Projektleitung

Go to first page Go to previous page 1 von 2 Go to next page Go to last page

Einzelne Farbzentren in Siliziumkarbid: elektrooptischer Zugang mittels epitaktischem Graphen
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.04.2017)

Monolithic electronic circuits based on epitaxial graphene
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.12.2013)

(SPP 1459: Graphene):
Wechselwirkungseffekte in und gateloses Strukturieren von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.10.2013)

(SFB 953: Synthetische Kohlenstoffallotrope):
SFB 953: Graphene und Organische Moleküle: Untersuchungen zum Ladungstransport (B08)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.01.2012)

Graphen auf SiC: Herstellung, elektronische Struktur und Anwendungen als Transistor
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.07.2007 - 30.06.2010)


Publikationen (Download BibTeX)

Go to first page Go to previous page 1 von 9 Go to next page Go to last page

Hauck, M., Lehmeyer, J., Pobegen, G., Weber, H.B., & Krieger, M. (2019). An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Communications Physics, 2, 5. https://dx.doi.org/10.1038/s42005-018-0102-8
Schlecht, M.-T., Malzer, S., Preu, S., & Weber, H.B. (2019). An efficient Terahertz rectifier on the graphene/SiC materials platform. Scientific Reports, 9. https://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-47606-6
Popp, M.A., & Weber, H.B. (2019). An ultra-stable setup for measuring electrical and thermoelectrical properties of nanojunctions. Applied Physics Letters, 115(8). https://dx.doi.org/10.1063/1.5116673
Heidorn, C., Esteve, R., Höchbauer, T., Krieger, M., Weber, H.B., & Rupp, R. (2019). Basal plane dislocation conversion enhancement in 4H-SiC homoepitaxial layers by ion implantation into the wafer. In Peter M. Gammon, Vishal A. Shah, Richard A. McMahon, Michael R. Jennings, Oliver Vavasour, Philip A. Mawby, Faye Padfield (Eds.), Materials Science Forum (pp. 114-118). Birmingham, GB: Trans Tech Publications Ltd.
Kißlinger, F., Rienmüller, D., Ott, C., Kampert, E., & Weber, H.B. (2019). Fractional Quantum Conductance Plateaus in Mosaic-Like Conductors and Their Similarities to the Fractional Quantum Hall Effect. Annalen Der Physik, 531. https://dx.doi.org/10.1002/andp.201800188
Heide, C., Boolakee, T., Higuchi, T., Weber, H.B., & Hommelhoff, P. (2019). Interaction of carrier envelope phase-stable laser pulses with graphene:the transition from the weak-field to the strong-field regime. New Journal of Physics. https://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab13ce
Heide, C., Higuchi, T., Ullmann, K., Weber, H.B., & Hommelhoff, P. (2019). Lightwave-controlled electron dynamics in graphene. In EPJ Web Conf. (Eds.), 205 (pp. 05002).
Heide, C., Higuchi, T., Weber, H.B., & Hommelhoff, P. (2018). Coherent Electron Trajectory Control in Graphene. Physical Review Letters, 121. https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.121.207401
Rühl, M., Ott, C., Götzinger, S., Krieger, M., & Weber, H.B. (2018). Controlled generation of intrinsic near-infrared color centers in 4H-SiC via proton irradiation and annealing. Applied Physics Letters, 113, 122102. https://dx.doi.org/10.1063/1.5045859
Rasinger, F., Pobegen, G., Aichinger, T., Weber, H.B., & Krieger, M. (2018). Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs. Materials Science Forum, 924, 277-280. https://dx.doi.org/10.4028/MSF.924.277

Zuletzt aktualisiert 2019-22-01 um 17:50