Johannes Lehmeyer



Organisationseinheit


Lehrstuhl für Angewandte Physik


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Hauck, M., Lehmeyer, J., Pobegen, G., Weber, H.B., & Krieger, M. (2019). An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Communications Physics, 2, 5. https://dx.doi.org/10.1038/s42005-018-0102-8
Hauck, M., Weiße, J., Lehmeyer, J., Pobegen, G., Weber, H.B., & Krieger, M. (2016). Quantitative Investigation of Near Interface Traps in 4H-SiC MOSFETs via Drain Current Deep Level Transient Spectroscopy. In Materials Science Forum..

Zuletzt aktualisiert 2018-12-02 um 01:01