Thomas Heckel



Organisationseinheit


Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente


Erfindung/en


System zur drahtlosen Übertragung von Energie und Daten


Mitarbeit in Forschungsprojekten


Leistungszentrum Elektroniksysteme (LZE), Teilprojekt 2: "Robuste Gestaltung induktiver Energieüberträger für bewegte Anwendungen"
Prof. Dr. Lothar Frey
(01.01.2015 - 30.06.2017)

(Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation):
ZuGaNG: Dynamische Charakterisierung von gehäusten Bauelementen und grundlegenden Untersuchungen zur Zuverlässigkeit
Prof. Dr. Lothar Frey
(01.04.2014 - 30.06.2017)


Publikationen (Download BibTeX)

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Heckel, T., Rettner, C., & März, M. (2016). Fundamental Efficiency Limits in Power Electronic Systems. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Trautmann, M., Joffe, C., Pflaum, F., Sanftl, B., Weigel, R., Heckel, T., & Kölpin, A. (2016). Implementation of Simultaneous Energy and Data Transfer in a Contactless Connector. (pp. 101-104). Austin, TX, US.
Ziller, J., Dräger, T., & Heckel, T. (2016). Inductive high data rate transmission for bearing systems. (pp. 97-100). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Ditze, S., Endruschat, A., Schriefer, T., Rosskopf, A., & Heckel, T. (2016). Inductive power transfer system with a rotary transformer for contactless energy transfer on rotating applications. (pp. 1622-1625). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Ditze, S., Heckel, T., März, M., & Heckel, T. (2016). Influence of the junction capacitance of the secondary rectifier diodes on output characteristics in multi-resonant converters. In IEEE (Eds.), . Long Beach (CA), US.
Krach, F., Heckel, T., Frey, L., Bauer, A., Erlbacher, T., & März, M. (2016). Innovative Monolithic RC-Snubber for Fast Switching Power Modules.
Lorentz, V., Schwarz, R., Heckel, T., März, M., Frey, L., & Heckel, T. (2016). Integrated galvanically isolated MOSFET and IGBT gate-driver circuit with switching speed control. (pp. 544-549). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Krach, F., Thielen, N., Heckel, T., Bauer, A., Erlbacher, T., Frey, L., & Heckel, T. (2016). Silicon integrated RC snubbers for applications up to 900V with reduced mechanical stress and high manufacturability. Device Research Conference (DRC), 2016 74th Annual.
Quay, R., Frey, L., Heckel, T., Endruschat, A., Eckardt, B., Reiner, R.,... Ambacher, O. (2016). Slew rate control of a 600 V 55 mΩ GaN cascode. In IEEE (Eds.), (pp. 334-339). Fayetteville, AR, US: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Kreutzer, O., Heckel, T., & März, M. (2016). Using SiC MOSFET’s full potential – Switching faster than 200 kV/μs. Trans Tech Publications Ltd.

Zuletzt aktualisiert 2019-15-03 um 22:55