Lehrstuhl für Angewandte Physik


Beschreibung:


Die Forschung am Lehrstuhl für Angewandte Physik beschäftigt sich seit seiner Gründung im Jahre 1948 mit Elektronen im Festkörper. Wir betreiben Grundlagenforschung, um eine innovative Elektronik jenseits der heutigen Grenzen von Silizium zu ermöglichen. Dabei untersuchen wir moderne Materialsysteme mit außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften wie Graphen (einzelne Graphitschicht) für ultraschnelle Elektronik, einzelne organische Moleküle für kleinste elektronische Systeme, aber auch Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke (Siliziumkarbid) für leistungselektronische Anwendungen. Ein besonderes Augenmerk liegt dabei auf der Licht-Materie-Wechselwirkung, insbesondere im Terahertz-Frequenzbereich.


Adresse:
Staudtstraße 7
91058 Erlangen



Untergeordnete Organisationseinheiten

Professur für Angewandte Physik


Forschungsbereiche

Elektronentransport auf molekularer Skala (Prof. Weber)
Graphen
Halbleitermaterialien: Dotierstoffe und Defekte (Dr. Krieger, Prof. Weber)
Licht-Materie-Wechselwirkung im Terahertz-Bereich (Dr. Malzer, Prof. Weber)


Forschungsprojekt(e)

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Graphen auf SiC: Herstellung, elektronische Struktur und Anwendungen als Transistor
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.07.2007 - 30.06.2010)


(Promoting and structuring a Multidisciplinary Academic-Industrial Network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates):
MANSiC: Promoting and structuring a Multidisciplinary Academic-Industrial Network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates
Gerhard Pensl
(01.01.2007 - 31.12.2010)


(SPP 1243: Quantum transport at the molecular scale):
Magnetic States in Double Metal Ion Single-Molecule Junctions
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.07.2006 - 30.11.2012)


Molecular Metal Complexes as Defined Spin Impurities for Kondo Physics
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.07.2005 - 30.06.2009)



Publikationen (Download BibTeX)

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Śledziewski, T., Vivona, M., Alassaad, K., Kwasnicki, P., Arvinte, R., Beljakowa, S.,... Krieger, M. (2016). Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition. Journal of Applied Physics, 120(20). https://dx.doi.org/10.1063/1.4967301
Santamaría-Botello, G., Garcia Munoz, L.E., Sedlmeir, F., Preu, S., Preu, S., Segovia-Vargas, D.,... Weber, H.B. (2016). Maximization of the optical intra-cavity power of whispering-gallery mode resonators via coupling prism. Optics Express, 24(23), 26503-26514. https://dx.doi.org/10.1364/OE.24.026503
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Rivera-Lavado, A., Preu, S., Enrique Garcia-Munoz, L., Generalov, A., Montero-de-Paz, J., Doehler, G.,... Raeisaenen, A.V. (2015). Dielectric Rod Waveguide Antenna as THz Emitter for Photomixing Devices. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 63, 882-890. https://dx.doi.org/10.1109/TAP.2014.2387419
Salinaro, A., Pobegen, G., Aichinger, T., Zippelius, B., Peters, D.P., Friedrichs, P., & Frey, L. (2015). Charge pumping measurements on differently passivated lateral 4H-SiC MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62(1), 155-163. https://dx.doi.org/10.1109/TED.2014.2372874

Zuletzt aktualisiert 2019-22-01 um 18:02