Microelectronic Engineering

Abkürzung der Fachzeitschrift: MICROELECTRON ENG
ISSN: 0167-9317
Verlag: Elsevier


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Band: 156, Seitenbereich: 19-23
Monolithic 3D TSV-based high-voltage, high-temperature capacitors (2016)
Gruenler S, Rattmann G, Erlbacher T, et al.

Band: 109, Seitenbereich: 129-132
Bimodal CAFM TDDB distributions in polycrystalline HfO2 gate stacks: The role of the interfacial layer and grain boundaries (2013)
Iglesias V, Martin-Martinez J, Porti M, et al.

Band: 109, Seitenbereich: 208-210
Defect densities inside the conductive filament of RRAMs (2013)
Robertson J, Gillen R

Band: 109, Seitenbereich: 72-74
Electronic structure of lanthanide oxide high K gate oxides (2013)
Gillen R, Robertson J

Band: 110, Seitenbereich: 90-93
Functional epoxy polymer for direct nano-imprinting of micro-optical elements (2013)
Fader R, Landwehr J, Rumler M, et al.

Band: 110, Seitenbereich: 177-182
Processing of silicon nanostructures by Ga+ resistless lithography and reactive ion etching (2013)
Rommel M, Rumler M, Haas A, et al.

Band: 98, Seitenbereich: 275-278
Life time evaluation of PDMS stamps for UV-enhanced substrate conformal imprint lithography (2012)
Schmitt H, Duempelmann P, Fader R, et al.

Band: 98, Seitenbereich: 238-241
Novel organic polymer for UV-enhanced substrate conformal imprint lithography (2012)
Fader R, Schmitt H, Rommel M, et al.

Heftnummer: 4, Band: 88, Seitenbereich: 458-461
Experiments and simulation of the diffusion and activation of the n-type dopants P, As, and Sb implanted into germanium (2011)
Koffel S, Kaiser RJ, Bauer AJ, et al.

Zuletzt aktualisiert 2015-29-05 um 16:45