Communications Physics

ISSN: 2399-3650
Verlag: Springer Nature



Publikationen


Band: 2, Seitenbereich: 5
An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (2019)
Hauck M, Lehmeyer J, Pobegen G, et al.

Band: 1
Mapping the band structure of GeSbTe phase change alloys around the Fermi level (2018)
Kellner J, Bihlmayer G, Liebmann M, et al.


Zuletzt aktualisiert 2018-01-03 um 11:29