Halbleitermaterialien: Dotierstoffe und Defekte (Dr. Krieger, Prof. Weber)


Organisationseinheit:
Lehrstuhl für Angewandte Physik

FAU Kontaktperson:
Krieger, Michael Dr.
Weber, Heiko B. Prof. Dr.

Beschreibung:


Siliziumkarbid



Siliziumkarbid (SiC) tritt in verschiedenen kristallographischen Strukturen (Polytypen) auf und ist auf Grund seiner herausragenden physikalischen Eigenschaften als Halbleitermaterial für Hochleistungsbauelemente geeignet, die unter extremen Bedingungen (hohe elektrische Spannung, hohe elektrische Leistung, hohe Temperaturen, ...) arbeiten können.



Am Lehrstuhl für Angewandte Physik (LAP) werden SiC-Einkristalle und SiC-Bauelemente mit Hilfe elektrischer und optischer Methoden untersucht. Insbesondere werden die physikalischen Eigenschaften dieses Halbleiters und seiner elektrisch und optisch aktiven Defekte basierend auf Prozess-Technologien wie Dotierung durch Ionenimplantation, Oxidation sowie der Realisierung von Bauelement-Demonstratoren erforscht. Wir erarbeiten neue Methoden, um mittels transparenter Graphen-Elektroden verbesserten experimentellen Zugang zum Metall-Halbleiter-Kontakt und darunter liegenden Defekten zu gewinnen.



Wir arbeiten erfolgreich mit verschiedenen regionalen und internationalen Forschungseinrichtungen, aber auch mit Industrieunternehmen zusammen.



 


Forschungsprojekt(e)


Einzelne Farbzentren in Siliziumkarbid: elektrooptischer Zugang mittels epitaktischem Graphen
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.04.2017)
Monolithic electronic circuits based on epitaxial graphene
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.12.2013)
(Training NETwork on Functional Interfaces for SiC):
NetFISiC: Training NETwork on Functional Interfaces for SiC
Dr. Michael Krieger
(01.01.2009 - 31.12.2011)
(Promoting and structuring a Multidisciplinary Academic-Industrial Network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates):
MANSiC: Promoting and structuring a Multidisciplinary Academic-Industrial Network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates
Gerhard Pensl
(01.01.2007 - 31.12.2010)



Herausragende Publikationen


Hauck, M., Lehmeyer, J., Pobegen, G., Weber, H.B., & Krieger, M. (2019). An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Communications Physics, 2, 5. https://dx.doi.org/10.1038/s42005-018-0102-8
Rühl, M., Ott, C., Götzinger, S., Krieger, M., & Weber, H.B. (2018). Controlled generation of intrinsic near-infrared color centers in 4H-SiC via proton irradiation and annealing. Applied Physics Letters, 113, 122102. https://dx.doi.org/10.1063/1.5045859
Rasinger, F., Pobegen, G., Aichinger, T., Weber, H.B., & Krieger, M. (2018). Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs. Materials Science Forum, 924, 277-280. https://dx.doi.org/10.4028/MSF.924.277
Krieger, M., Rühl, M., Sledziewski, T., Ellrott, G., Palm, T., Weber, H.B., & Bockstedte, M.G. (2016). Doping of 4H-SiC with group IV elements. Materials Science Forum, 858, 301. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.301
Hertel, S., Waldmann, D., Jobst, J., Albert, A., Albrecht, M., Krieger, M.,... Weber, H.B. (2012). Tailoring the graphene/silicon carbide interface for monolithic wafer-scale electronics. Nature Communications, 3, 957. https://dx.doi.org/10.1038/ncomms1955
Waldmann, D., Jobst, J., Speck, F., Seyller, T., Krieger, M., & Weber, H.B. (2011). Bottom-gated epitaxial graphene. Nature Materials, 10, 357-360. https://dx.doi.org/10.1038/nmat2988

Zuletzt aktualisiert 2019-22-01 um 18:02