Graphen


Organisationseinheit:
Lehrstuhl für Angewandte Physik

FAU Kontaktperson:
Weber, Heiko B. Prof. Dr.

Beschreibung:


Graphen, eine Einzellage Graphit, ist eines der aufregendsten Materialien dieser Zeit. Wir bearbeiten eine Variante des Graphens, die wir auf Halbleiterwafern aus Siliziumkarbid (SiC) mit einem einfachen Verfahren in hervorragender Qualität herstellen: epitaktisches Graphen auf SiC(0001). Wir halten dieses in Erlangen entwickelte Material für eines der aussichtsreichsten Kandidaten, Graphen als elektronisches Material für einen breiten Anwendungsbereich in Forschung und Technik zu erschließen. Insbesondere ermöglicht es wegen seiner besonderen Eigenschaften eine Reihe sehr gundlegender festkörperphysikalischer Experimente, die mit herkömmlichen Materialien undurchführbar wären.



Wir konnten bereits eine Vielzahl elektronischer Bauelemente aus epitaktischem Graphen herstellen. Wir untersuchten den elektrischen Ladungstransport von sehr großflächigen Schichten, die die Physik quasi unendlich ausgedehnter zweidimensionaler Metalle offenlegen. In Graphen-Doppellagen entdeckten wir neue Physik auf Grund von Versetzungen und Bereichen unterschiedlicher Stapelung. Wir untersuchen Graphen-Graphen-Nanokontakte, die einen neuen Zugang zur Molekularen Elektronik ermöglichen. Wir haben das Wechselspiel mit dem darunter liegenden Halbleitersubstrat SiC erforscht und so ein patentiertes Konzept erarbeitet, wie man mit epitaktischem Graphen elektronische Schaltkreise realisieren kann (siehe auch "Graphene transistors in high-performance demonstration").



Forschungsprojekt(e)


Monolithic electronic circuits based on epitaxial graphene
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.12.2013)
(SPP 1459: Graphene):
Wechselwirkungseffekte in und gateloses Strukturieren von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.10.2013)
(SFB 953: Synthetische Kohlenstoffallotrope):
SFB 953: Graphene und Organische Moleküle: Untersuchungen zum Ladungstransport (B08)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.01.2012)
Graphen auf SiC: Herstellung, elektronische Struktur und Anwendungen als Transistor
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.07.2007 - 30.06.2010)



Zugewiesene Publikationen


Shallcross, S., Sharma, S., & Weber, H.B. (2017). Anomalous Dirac point transport due to extended defects in bilayer graphene. Nature Communications, 8(1), 342. https://dx.doi.org/10.1038/s41467-017-00397-8
Kißlinger, F., Ott, C., Heide, C., Kampert, E., Butz, B., Spiecker, E.,... Weber, H.B. (2015). Linear magnetoresistance in mosaic-like bilayer graphene. Nature Physics, 11, 650-+. https://dx.doi.org/10.1038/NPHYS3368
Butz, B., Dolle, C., Niekiel, F., Weber, K., Waldmann, D., Weber, H.B.,... Spiecker, E. (2014). Dislocations in bilayer graphene. Nature, 505, 533-537. https://dx.doi.org/10.1038/nature12780
Jobst, J., Waldmann, D., Gornyi, I., Mirlin, A., & Weber, H.B. (2012). Electron-Electron Interaction in the Magnetoresistance of Graphene. Physical Review Letters, 108(10). https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.106601
Jobst, J., & Weber, H.B. (2012). Origin of logarithmic resistance correction in graphene. Nature Physics, 8(5), 352-352. https://dx.doi.org/10.1038/nphys2297
Emtsev, K., Bostwick, A., Horn, K., Jobst, J., Kellogg, G.L., Ley, L.,... Seyller, T. (2009). Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide. Nature Materials, 8, 203-207. https://dx.doi.org/10.1038/NMAT2382

Zuletzt aktualisiert 2019-22-01 um 18:03